CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC
search
Imágenes con fines ilustrativos
  • CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC

CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC

02-03-076

Número de canales: 4 canales

Ciclo de muestreo: 50 ms (muestra sincrónica para 2 canales o 4 canales)

Comunicación: Modbus RTU

Fuente de alimentación: 24 VDC

Abrir Ficha Técnica

Número de canales: 4 canales

Ciclo de muestreo: 50 ms (muestra sincrónica para 2 canales o 4 canales)

Tipo de entrada_TC: K(CA), J(IC), E(CR), T(CC), B(PR), R(PR), S(PR), N(NN), C(TT), G(TT), L(IC), U(CC), Platinel II

Tipo de entrada_RTD: DPt100Ω, JPt100Ω, DPt50Ω, Cu100Ω, Cu50Ω, Níquel 120Ω tipo de 3 cables (resistencia de línea máxima permisible: 5Ω)

Tipo de entrada_Analógica:

  • Voltaje: 0-100mVDC, 0-5VDC, 1-5VDC, 0-10VDC
  • Corriente: 0-20mA, 4-20mA

Tipo de entrada_CT: 0.0-50.0A (rango de medición de corriente primaria) ※ Relación CT = 1/1000, Precisión medida: ±5% F.S. ±1 dígito

Método de control: Calentamiento, enfriamiento, calentamiento y enfriamiento: ON/OFF, P, PI, PD, control PID

Salida de control_SSR: Máx. 12VDC ±3V, 20mA

Salida de control_Corriente: Seleccionable DC 4-20mA o DC 0-20mA (resistencia de carga máxima: 500Ω)

Comunicación: Modbus RTU

Banda proporcional: RTD/Thermocouples: 1 a 999℃/℉ (0.1 a 999.9℃/℉), analógico: 0.1 a 999.9 dígitos

Tiempo integral: 0 a 9999 seg

Tiempo derivativo: 0 a 9999 seg

Periodo de control: 1.0 a 120.0 seg

Restablecimiento manual: 0 a 100% (0.0 a 100.0%)

Tipo de aislamiento: Doble aislamiento o aislamiento reforzado (marca: , rigidez dieléctrica entre la parte de medición y la parte de potencia: 1 kV)

Peso unitario (peso empaquetado): ≈ 173 g (≈ 246 g)

Fuente de alimentación: 24VDC

Rango de voltaje permitido: 90 a 110% del voltaje nominal

Consumo de alimentación: Máx. 5W (para carga máxima)

Método de visualización: Sin visualización; configuración y monitoreo disponibles en dispositivos externos (PC, PLC, etc.)

Protección de memoria: ≈ 10 años (tipo de memoria semiconductora no volátil)

Resistencia de aislamiento: 100 MΩ (a 500 VDC megger)

Rigidez dieléctrica: Entre la parte de carga y la carcasa: 1,000 VAC~ 50/60 Hz durante 1 minuto

Vibración: Amplitud de 0.75 mm a una frecuencia de 5 a 55 Hz en cada dirección X, Y, Z durante 2 horas

Inmunidad al ruido: ±0.5kV de ruido de onda cuadrada (ancho de pulso: 1 ㎲) por simulador de ruido

Temperatura ambiente: -10 a 50℃, almacenamiento: -20 a 60℃

Humedad ambiente: 35 a 85% RH, almacenamiento: 35 a 85% RH

Estructura de protección: IP20 (estándar IEC)

Abrir Ficha Técnica

02-03-076
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.