CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC
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  • CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC

CONTROL TEMPERATURA DE CUATRO ZONAS CON SALIDA 4-20MA ALIMENTACION 24VDC

02-03-050

  • Número de canales: 4 canales
  • Ciclo de muestreo: 50 ms (muestras sincronizadas en 2-CH o 4-CH)
  • Comunicación: Modbus RTU
  • Fuente de alimentación: 24 VDC

Ficha Técnica

Hoja de Datos

  • Número de canales: 4 canales
  • Ciclo de muestreo: 50 ms (muestreo sincronizado en 2-CH o 4-CH)
  • Tipo de entrada - Termopar (TC):
    • K (CA), J (IC), E (CR), T (CC), B (PR), R (PR), S (PR), N (NN), C (TT), G (TT), L (IC), U (CC), Platinel II
  • Tipo de entrada - RTD:
    • DPt100Ω, JPt100Ω, DPt50Ω, Cu100Ω, Cu50Ω, Nikel 120Ω (tipo de 3 hilos, resistencia de línea máxima permitida: 5Ω)
  • Tipo de entrada - Analógico:
    • Voltaje: 0-100 mVDC, 0-5 VDC, 1-5 VDC, 0-10 VDC
    • Corriente: 0-20 mA, 4-20 mA
  • Tipo de entrada - CT:
    • 0.0-50.0 A (rango de medición de corriente primaria)
    • Relación CT = 1/1000, Precisión medida: ±5% F.S. ±1 dígito
  • Método de control:
    • Calentamiento, enfriamiento, calentamiento y enfriamiento: control ON/OFF, P, PI, PD, PID
  • Salida de control - SSR:
    • Máx. 12 VDC ±3 V, 20 mA
  • Salida de control - Corriente:
    • Seleccionable DC 4-20 mA o DC 0-20 mA (resistencia de carga máx. 500Ω)
  • Comunicación:
    • Modbus RTU
  • Banda proporcional:
    • RTD/Thermocouples: 1 a 999℃/℉ (0.1 a 999.9℃/℉), analógico: 0.1 a 999.9 dígitos
  • Tiempo integral:
    • 0 a 9999 seg
  • Tiempo derivativo:
    • 0 a 9999 seg
  • Período de control:
    • 1.0 a 120.0 seg
  • Reinicio manual:
    • 0 a 100% (0.0 a 100.0%)
  • Tipo de aislamiento:
    • Doble aislamiento o aislamiento reforzado (marca: , resistencia dieléctrica entre la parte de medición y la parte de potencia: 1 kV)
  • Peso unitario (peso embalado):
    • ≈ 178 g (≈ 251 g)
  • Fuente de alimentación:
    • 24 VDC
  • Rango de voltaje permitido:
    • 90 a 110% del voltaje nominal
  • Consumo de energía:
    • Máx. 5 W (para carga máxima)
  • Método de visualización:
    • Ninguno - configuración y monitoreo disponibles en dispositivos externos (PC, PLC, etc.)
  • Protección de memoria:
    • ≈ 10 años (tipo de memoria semiconductor no volátil)
  • Resistencia de aislamiento:
    • 100 MΩ (a 500 VDC)
  • Resistencia dieléctrica:
    • Entre la parte de carga y la carcasa: 1,000 VAC~ 50/60 Hz durante 1 minuto
  • Vibración:
    • 0.75 mm de amplitud a frecuencia de 5 a 55 Hz en cada dirección X, Y, Z durante 2 horas
  • Inmunidad al ruido:
    • ±0.5 kV de ruido en forma de onda cuadrada (ancho de pulso: 1 μs) mediante simulador de ruido
  • Ambiente - Temperatura ambiental:
    • -10 a 50℃, almacenamiento: -20 a 60℃
  • Ambiente - Humedad ambiental:
    • 35 a 85% RH, almacenamiento: 35 a 85% RH
  • Estructura de protección:
    • IP20 (norma IEC)

Ficha Técnica

02-03-050
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