CONTROLADOR DE POTENCIA SPRM 70 A TRIFASICO 480V
02-04-006
ontrolador de Compensación de Energía Reactiva
- Fuente de Alimentación: 100-240VAC ~ 50/60Hz
- Voltaje de Carga Nominal: 220-440 VCA ~ 50/60 Hz
- Corriente de Carga Nominal: 70A
- Fase de Control: Trifásico o 3 canales monofásicos
- Método de Enfriamiento: Refrigeración por aire forzado (con ventilador)
Tipos de Entrada:
- RTD: JPt100Ω, DPt100Ω, DPt50Ω, Cu100Ω, Cu50Ω
- Termopares (TC): Incluye tipos como K, J, E, T, entre otros
- Analógica: Voltaje y Corriente con ajustes específicos
Hoja de Datos del Controlador de Compensación de Energía Reactiva
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Fase de Control: Trifásico o 3 canales monofásicos
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Voltaje de Carga Nominal: 220-440 VCA ~ 50/60 Hz
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Corriente de Carga Nominal: 70A
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Método de Visualización: LCD de 11 segmentos de 5 dígitos (blanco) × 4, Salida BAR
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Entrada de Control:
- Control automático: 4-20mA CD × 3 canales, 0-5/1-5/0-10VCD, Ajustador externo (10kΩ), RS485
- Control manual: Configuración de parámetros
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Entradas Digitales: Selección de ARRANQUE/PARO, selección de AUTO/MAN, REINICIO
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Alarma de Salida: 1c carga resistiva 250VCA~ 2A, 30VCD 2A
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Comunicación de Salida: RS485
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Método de Enfriamiento: Refrigeración por aire forzado (con ventilador de refrigeración)
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Peso Unitario (Peso Empaquetado): ≈ 4.8 kg (≈ 5.8 kg)
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Método de Control:
- Control de fase: Normal / Retroalimentación de corriente constante / Retroalimentación de voltaje constante / Modo de control de retroalimentación de alimentación constante
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Carga Aplicada: Carga de resistencia, carga inductiva
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Rango de Salida:
- Carga resistiva: 0 a 98 %
- Carga inductiva: 5 a 98 %
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Fuente de Alimentación: 24VCC ±10%
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Corriente de Carga Mínima: 1A
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Consumo de Alimentación: ≤ 15 W
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Resistencia del Aislamiento: Por encima de 200MΩ (a 500VCC meggers)
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Rigidez Dieléctrica: Entre la parte de carga y el cuerpo: 3000 VCA~ 50/60 Hz durante 1 min
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Salida de Corriente de Fuga: Máx. 10mArms
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Inmunidad al Ruido: Onda cuadrada de ruido de ±0.5kV (ancho de pulso: 1µs) por simulador de ruido
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Protección de Memoria: ≈ 10 años (tipo de memoria semiconductora no volátil)
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Vibración: Doble amplitud de 0,5 mm a una frecuencia de 5 a 55 Hz durante 2 horas en cada una de las direcciones X, Y, Z
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Mal Funcionamiento por Vibración: Doble amplitud de 0,5 mm a una frecuencia de 5 a 55 Hz durante 10 min en cada una de las direcciones X, Y, Z
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Temperatura del Entorno Ambiental: -10 a 40°C, almacenamiento: -20 a 80°C (en estado sin congelamiento o condensación)
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Ambiente de Humedad Ambiental: 35 a 85% RH, almacenamiento: 35 a 85% RH